Samsung tại Tech Day 2018 San Jose công bố những cải tiến mới về SSD, QLC, 7nm EUV Node, giúp tối đa hóa hiệu quả của trung tâm dữ liệu và cho phép AI cũng như các công nghệ mới.
Những tiết lộ chính từ Samsung Tech Day 2018 bao gồm:
Quy trình EUV 7nm của Công ty Foundry Operations của Samsung mang đến những cải tiến đáng kể về sức mạnh, hiệu suất và kích thước. SmartSSD là ổ SSD mảng cổng lập trình trường (FPGA) cung cấp khả năng xử lý dữ liệu được tăng tốc, cũng như có thể vượt qua các giới hạn của CPU máy chủ. QLC-SSD cho các ứng dụng doanh nghiệp và trung tâm dữ liệu cung cấp nhiều hơn 33% dung lượng lưu trữ trên mỗi ô so với TLC-SSD, cho phép hợp nhất lưu trữ và cải thiện tổng chi phí sở hữu (TCO).
Theo JS Choi, Chủ tịch Samsung Semiconductor Inc., “Sự dẫn đầu về công nghệ và bề rộng sản phẩm của Samsung là vô song. Đưa EUV 7nm vào sản xuất là một thành tựu đáng kinh ngạc. Ngoài ra, các thông báo về SmartSSD và 256GB 3DS RDIMM đại diện cho những đột phá về hiệu suất và dung lượng sẽ tiếp tục thúc đẩy ranh giới máy tính. Cùng với nhau, những bổ sung này vào hệ sinh thái công nghệ toàn diện của Samsung sẽ cung cấp sức mạnh cho thế hệ tiếp theo của trung tâm dữ liệu, máy tính hiệu năng cao (HPC), doanh nghiệp, trí tuệ nhân tạo (AI) và các ứng dụng mới. ”
Đạt được quy trình 7nm LPP (Low Power Plus) EUV của Samsung là một cột mốc quan trọng trong chế tạo chất bán dẫn. Những ưu điểm chính mà công nghệ quy trình 7nm LPP EUV mang lại bao gồm giảm tới 40% diện tích, giảm 50% năng lượng động và tăng 20% hiệu suất so với quy trình 10nm của chúng. Quy trình 7LPP là một bước quan trọng để cuối cùng đạt được quy trình 3nm.
SmartSSD và cell cấp bốn (QLC) -SSD mới của Samsung tăng tốc xử lý dữ liệu, bỏ qua các giới hạn của CPU máy chủ và giảm mức tiêu thụ điện năng. Các sản phẩm mới này cho phép các trung tâm dữ liệu tiếp tục mở rộng quy mô với tốc độ nhanh hơn, nhưng vẫn kiểm soát được chi phí.
Các dịch vụ trung tâm dữ liệu mới bao gồm Key Value (KV) -SSD và Z-SSD. KV-SSD khắc phục sự kém hiệu quả của lưu trữ khối và giảm độ trễ. Hiệu suất trung tâm dữ liệu có thể được tăng tỷ lệ đồng đều khi kiến trúc CPU đã hoạt động tối đa. Z-SSD thế hệ tiếp theo sẽ là bộ nhớ flash nhanh nhất từng được giới thiệu, với độ trễ cực thấp, tính khả dụng cao của cổng kép và hệ số dạng U.2, Z-SSD cũng có giao diện PCIe Gen 4, cho phép đọc tuần tự tốc độ lên đến 12GB / s - nhanh hơn khoảng 20 lần so với SSD SATA III hiện nay.
QLC-SSD của Samsung dành cho trung tâm dữ liệu và các ứng dụng doanh nghiệp cung cấp dung lượng lưu trữ trên mỗi cell nhiều hơn 33% so với TLC-SSD. 1TB QLC-SSD của Samsung đại diện cho một tùy chọn lưu trữ tiên tiến cho người dùng doanh nghiệp và tạo ra hiệu quả cạnh tranh đáng kể khi so sánh với ổ cứng HDD, đồng thời giúp cải thiện chỉ số quan trọng về tổng chi phí sở hữu (TCO).
Như thường lệ, các thông báo mới nhất của Samsung đặt tiêu chuẩn rất cao và khiến đối thủ cạnh tranh tìm mọi cách bắt kịp.
